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硅光芯片測試-光電性能測試-耦合損耗測試:硅光芯片測試是確保硅光芯片性能和質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié),廣電計量打造專業(yè)人才隊伍、構(gòu)建完善的硅光芯片測試體系,助力硅光芯片光通信產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。
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更新日期:2026-03-19
在線留言| 品牌 | 廣電計量 | 服務(wù)范圍 | 全國 |
|---|---|---|---|
| 服務(wù)資質(zhì) | CNAS/CMA | 服務(wù)形式 | 根據(jù)不同需求進(jìn)行定制服務(wù) |
| 報告形式 | 電子/紙質(zhì)報告 | 報告語言 | 中英文 |
服務(wù)范圍
功能單元:
硅光芯片、MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)、激光器等
材料體系:
Si、SiN、LiNbO3
檢測項目
硅光芯片測試-光電性能測試-耦合損耗測試:
參數(shù)測試項目:耦合損耗、調(diào)制效率、傳輸損耗、帶寬、電阻、暗電流、響應(yīng)度、眼圖、模斑等,支持批量篩選,定制標(biāo)準(zhǔn)化測試方案
老煉以及可靠性驗證:硅光芯片HTOL、HTRB、THB等試驗,支持MPD、Heater、MZI、光波導(dǎo)、激光器。
檢測標(biāo)準(zhǔn)
GR-468,參考客戶委托
服務(wù)背景
硅光芯片測試-光電性能測試-耦合損耗測試:隨著 5G、云計算、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域快速發(fā)展,對高速、低功耗、高集成度的光通信芯片需求激增,硅光芯片憑借與 CMOS 工藝兼容、成本低、體積小等優(yōu)勢成為行業(yè)焦點。但制造工藝復(fù)雜,易出現(xiàn)光學(xué)性能偏差、電學(xué)參數(shù)異常等問題,為保障其性能、質(zhì)量,滿足通信、數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域應(yīng)用需求,對硅光芯片測試和篩選至關(guān)重要。
我們的優(yōu)勢
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